XB8789D0 — мікросхема захисту однієї Li-Ion / Li-Pol банки з вбудованим силовим MOSFET та повним набором захистів від перевантажень, перенапруги та короткого замикання. Підходить для компактних акумуляторних пристроїв, де важливі мінімальні втрати та низьке споживання струму.
Функціонал
- Захист від перезаряду та глибокого розряду комірки.
- Двоступеневий захист від перевантаження по струму й короткого замикання навантаження.
- Захист від перегріву, контроль робочих умов мікросхеми.
- Захист від переполюсовки зарядного пристрою та акумулятора.
- Функція заряджання «мертвого» акумулятора з напругою 0 В.
- Внутрішні ланцюги затримки для коректного спрацьовування всіх режимів захисту.
Інтеграція
- Корпус SOP-8 з тепловою площадкою EPAD для монтажу на поверхню.
- Потрібен лише один зовнішній конденсатор розв’язки.
- Вбудований потужний MOSFET з еквівалентним опором каналу близько 14 мОм.
- Стандартна типова схема підключення: батарея між BAT+ / BAT−, зарядний пристрій під’єднується до тих самих точок через резистор обмеження струму й конденсатор 0,1 мкФ.
Ефективність
- Малі втрати на вбудованому MOSFET для високої ефективності та меншого нагріву.
- Точні пороги виявлення перенапруги/зниженої напруги забезпечують повне використання ємності акумулятора без його пошкодження.
- Стабільна робота при великих імпульсних струмах навантаження.
Енергозбереження
- Низький робочий струм споживання близько 9 мкА.
- Режим зниженого споживання (power-down) близько 4,5 мкА для зберігання акумулятора.
- Підходить для пристроїв, які тривалий час знаходяться в режимі очікування.
Ключові особливості
- Захист однієї літій-іонної або літій-полімерної банки.
- Повний набір захистів: перезаряд, перерозряд, перевантаження по струму, коротке замикання, перегрів.
- Захист від зворотного підключення зарядного пристрою та акумулятора.
- Працює з мінімальною кількістю зовнішніх компонентів.
- Виконання RoHS, не містить свинцю (Pb-Free).
Ключові параметри
| Тип акумулятора |
Li-Ion / Li-Pol, 1 комірка |
| Корпус |
SOP-8 з тепловою площадкою (EPAD) |
| Вбудований MOSFET |
RDS(on) ≈ 14 мОм (тип.) |
| Робочий режим |
Струм споживання ~9 мкА |
| Режим очікування |
Струм споживання ~4,5 мкА |
Призначення виводів
| Вивід |
Позначення |
Опис |
| 1, 2, 3, 4 |
VM |
Негативний вивід акумуляторного пакета. Через внутрішній MOSFET з’єднується із загальною шиною. |
| 5, 7, 8 |
GND |
Загальний провід, підключається до мінуса акумулятора (BAT−). |
| 6 |
VDD |
Живлення мікросхеми від позитивного виводу комірки (BAT+). |
| EPAD |
EPAD |
Теплова/екранувальна площадка, обов’язково з’єднати з GND на платі. |
Роз’яснення маркування
Маркування на корпусі зазвичай містить код моделі XB8789D0 та додаткові символи партії/дати виробництва. Усі варіанти з цим кодом належать до контролера захисту однієї Li-Ion/Li-Pol банки в корпусі SOP-8 з тепловою площадкою EPAD.
Типові застосування
- Захист акумулятора в смартфонах, портативних медіаплеєрах, Bluetooth-гарнітурах.
- Портативні вимірювальні прилади, навігатори, бездротові датчики.
- Модулі живлення та акумуляторні блоки на одній літієвій банці (у тому числі Power Bank з однією коміркою).