N-канальний MOSFET-транзистор силового класу для швидкого та ефективного керування навантаженнями у постійних та імпульсних колах. Підходить для використання як низькоомний електронний ключ у сучасних перетворювачах живлення.
Функціонал
- Комутація постійної напруги до 60 В.
- Робота у складі імпульсних перетворювачів, DC-DC модулів, драйверів двигунів.
- Використання як низьковтратний силовий ключ у високочастотних схемах.
Ключові параметри
- Тип транзистора: N-канальний MOSFET (польовий транзистор з ізольованим затвором).
- Максимальна напруга стік-витік VDS: 60 В.
- Статичний опір відкритого каналу RDS(on): близько 6,7 мОм (типове значення).
- Допустимий струм стоку ID: до 79 А (за умови належного охолодження).
- Корпус: компактний низькопрофільний PG-TSDSON-8, розмір 3.3х3.3 мм
Пояснення: N-канальний MOSFET-транзистор
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) — це польовий транзистор з ізольованим затвором. Керування відбувається напругою на затворі, при цьому струм затвору практично відсутній, що зменшує втрати керування.
У N-канальному MOSFET провідний канал утворюється в напівпровіднику n-типу, а основний струм тече від стоку до витоку, коли на затвор подається додатна напруга відносно витоку. Це забезпечує:
- низький опір відкритого каналу та малі втрати потужності;
- високу швидкість перемикання в імпульсних схемах;
- зручне керування від логічних мікросхем та контролерів (через напругу, а не струм).
Типові застосування
- Силові DC-DC перетворювачі, понижувальні та підвищувальні стабілізатори.
- Керування двигунами постійного струму, вентиляторами, соленоїдами.
- Комутація навантаження у джерелах живлення та системах розподілу енергії.
- Захисні та комутаційні вузли в автомобільній та промисловій електроніці.
від 80 грн.
від 50 грн.