FGL40N120AN — це силовий IGBT-транзистор від ON Semiconductor у корпусі TO-264, розрахований на роботу з високою напругою до 1200 В. Це серйозний силовий компонент для інверторів, UPS, індукційного нагріву, керування електродвигунами та інших потужних перетворювачів, де потрібні висока витривалість по напрузі, хороший струмовий запас і стабільна робота під навантаженням.
Модель FGL40N120AN побудована за технологією NPT IGBT, що забезпечує невеликі втрати на провідність і хороші характеристики перемикання. Такий транзистор добре підходить не для дрібної побутової електроніки, а саме для силових вузлів, де важлива надійна робота у важких режимах.
Функціонал
- Силовий IGBT-транзистор для високовольтних схем
- Підходить для індукційного нагріву, UPS, інверторів і керування двигунами
- Розрахований на роботу з високою напругою та великим струмом
- Поєднує хорошу швидкодію з помірними втратами у відкритому стані
Інтеграція
- Корпус: TO-264 — великий силовий корпус для монтажу в отвори плати
- Зручний для встановлення на радіатор
- Підходить для ремонту та збирання потужних інверторних і імпульсних пристроїв
- Металева частина корпусу електрично пов’язана з колектором, це потрібно враховувати під час монтажу
Ефективність
- Максимальна робоча напруга — 1200 В
- Струм колектора — до 64 А при температурі корпусу 25°C
- Струм колектора — до 40 А при температурі корпусу 100°C
- Імпульсний струм — до 120 А
- Падіння напруги у відкритому стані — типово 2.6 В при 40 А
- Підходить для роботи у потужних вузлах із великою напругою
Енергозбереження
- NPT структура допомагає зменшити втрати на провідність і перемикання
- Хороший вибір для силових схем, де важливі ефективність і надійність
- За правильної організації керування та охолодження транзистор добре працює у важких режимах
Ключові особливості
- IGBT 1200 В
- NPT структура
- До 64 А
- Корпус TO-264
- Швидке перемикання
- Невисока напруга насичення
- Підходить для UPS та інверторів
Ключові параметри
- Тип компонента: силовий IGBT-транзистор для високовольтних інверторів, UPS, індукційного нагріву та керування двигунами
- Корпус: TO-264 — великий силовий корпус для монтажу в отвори плати з можливістю встановлення на радіатор
- Максимальна робоча напруга колектор-емітер: 1200 В
- Допустима напруга затвор-емітер: ±25 В
- Постійний струм колектора: до 64 А при температурі корпусу 25°C або до 40 А при 100°C
- Імпульсний струм колектора: до 120 А
- Струм вбудованого діода: до 40 А при 100°C
- Імпульсний струм вбудованого діода: до 240 А
- Максимальна розсіювана потужність: до 500 Вт при температурі корпусу 25°C або до 200 Вт при 100°C
- Максимальна температура кристала: до 150°C
- Напруга відкривання затвора: приблизно 3.5...7.5 В
- Падіння напруги у відкритому стані: типово 2.6 В, максимум 3.2 В при струмі 40 А і керуванні затвором 15 В
- Вхідна ємність: типово 3200 пФ
- Тепловий опір кристал-корпус: 0.25 °C/Вт
- Час витримки короткого замикання: до 10 мкс при VCE = 600 В і VGE = 15 В
Призначення виводів
- G — Gate — затвор, керуючий вивід
- C — Collector — колектор, силовий вивід
- E — Emitter — емітер, силовий вивід
Роз’яснення маркування
Повне позначення моделі — FGL40N120AN. На корпусі маркування часто наноситься у скороченому вигляді на кілька рядків: FGL40N120 і окремо AND. Це нормально для цієї моделі й пов’язано з форматом заводського нанесення маркування на корпусі TO-264.
Типові застосування
- Індукційний нагрів
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Керування AC та DC двигунами
- Інвертори загального призначення
- Потужні високовольтні перетворювачі
Реальне тестування
Під час практичної перевірки транзистор показав пробивну напругу 1416 В при заявлених 1200 В. Це приблизно на 18% вище паспортного значення.
Такий результат підтверджує хороший запас по напрузі та є характерною ознакою якісного силового транзистора з повноцінними параметрами, що відповідають рівню оригінального компонента.

Важливо врахувати
FGL40N120AN — це високовольтний силовий IGBT, тому для нормальної роботи потрібно забезпечити правильне керування затвором, ефективне охолодження, акуратний монтаж на радіатор і захист від перенапруги. Це компонент для серйозної силової електроніки, а не для простих малопотужних схем.