FS8205A — подвійний n-канальний силовий MOSFET для схем захисту Li-ion/Li-Pol акумуляторів та комутації живлення. У корпусі TSSOP-8; два транзистори з низьким опором каналу підходять для «back-to-back» підключення (двонапрямний електронний вимикач у батарейних захистах/ВМС).
Що означає «репліка»?
У контексті нашого магазину «репліка» — це функціональний аналог оригінального транзистора, виготовлений іншим виробником. Він виконує ті самі завдання, зберігає сумісність у типових схемах і є більш доступною за ціною. Це не «підробка»; це альтернативне виконання від третьої сторони.
Ключові параметри
- VDS (макс.) — максимальна напруга стік–витік: 20 В
- VGS (макс.) — максимальна напруга затвор–витік: ±12 В
- ID (безперервний) — безперервний струм стоку: 6 А @ 25 °C; 5 А @ 70 °C
- IDM (імпульсний) — піковий імпульсний струм стоку: 25 А (≤300 µs, D=2%)
- RDS(on) (макс.) — опір каналу у ввімкненому стані: 25 mΩ @ VGS=4.5 В, ID=4 А; 35 mΩ @ VGS=2.5 В, ID=3 А
- VGS(th) (поріг) — порогова напруга затвора: 0.5…1.0 В
- IDSS (витік) — струм витоку стоку при закритому затворі: ≤1 µA (25 °C), ≤25 µA (70 °C) при VDS=20 В
- Діод тіла: VSD (пряма напруга діода тіла) ≈ 1.2 В @ I=1.25 А; безперервний струм IS до 0.83 А
- PD — розсіювана потужність корпусу: 1 Вт @ 25 °C; RθJA (тепловий опір перехід–довкілля) макс. 125 °C/Вт
Типові застосування: захист елементів 1S Li-ion/Li-Pol (BMS/PCM), електронні вимикачі з малими втратами, комутація живлення у портативній техніці.
Примітка по застосуванню: для двонапрямної відсічки у батарейних захистах транзистори вмикають «спинами» (back-to-back) — це блокує струм у обох напрямках у вимкненому стані та зменшує падіння напруги у ввімкненому.
від 80 грн.
від 50 грн.