LNK364PN, DIP-7 мікросхема (Power Integrations)

Мікросхема LNK364PN від компанії Power Integrations   належить до серії LinkSwitch-XT та поєднує в собі силовий MOSFET (700 В), контролер живлення та функції захисту в одному корпусі. Вона призначена для створення компактних, економічних та енергоефективних імпульсних джерел живлення.

Роз'яснення маркування

У маркуванні LNK364PN

• Суфікс P вказує на тип корпусу типу DIP-7 (для монтажу в отвори плати).
• Суфікс N вказує на покриття виводів чистим матовим оловом, що відповідає стандартам RoHS (обмеження використання небезпечних речовин).

У першому та третьому рядках маркування мікросхеми зашифровані дата виготовлення і номер партії, які не впливають на її технічні характеристики. Відповідно, у кожній новій партії ці маркування будуть різними. Основне маркування, яке вказує на тип мікросхеми, розташоване у другому рядку.

Технічні параметри мікросхеми LNK364PN:

• Вхідна напруга: 85–265 В змінного струму.
• Максимальна вихідна потужність:
  • Для адаптера: 4 Вт (при 85–265 В змінного струму).
  • Для відкритих конструкцій: 6 Вт (при 85–265 В змінного струму)​.
• Робоча частота: 132 кГц (середня) з частотним розсіюванням ±9 кГц​.
• Захисти:
  • Автоматичний перезапуск у разі короткого замикання або відкритого контуру​.
  • Термічний захист з автоматичним відновленням (поріг спрацьовування 142°C, гістерезис 75°C)​​.
  • Захист від перевищення струму: 233–268 мА залежно від температури​​.
• Параметри MOSFET:
  • Опір у ввімкненому стані (RDS(ON)): 24–28 Ом при 25°C​.
  • Максимальна напруга пробою (BVDSS): 700 В​.
• Енергоефективність:
  • Споживання в режимі очікування: <300 мВт без допоміжного обмотування, <50 мВт з ним​​.
• Інші особливості:
  • Робота без компенсації контуру зворотного зв'язку​.
  • Частотне розсіювання для зниження рівня електромагнітних перешкод (EMI)​​.

• Застосування:

• Зарядні пристрої для мобільних телефонів, камер, MP3-плеєрів.
• Джерела живлення для побутових приладів, промислових систем і лічильників​