SC8885LQDER — це високоефективний синхронний контролер заряду типу buck-boost (підвищувально-знижувальний), який підтримує режими зниження, підвищення та зниження-підвищення напруги як під час прямого заряджання, так і під час зворотного розряджання.
Мікросхема керує заряджанням акумуляторних батарей (від 1 до 4 елементів) у широкому діапазоні вхідної напруги від 3.5В до 24В, підтримуючи попереднє заряджання, заряджання постійним струмом та заряджання постійною напругою. Режим зворотного розряджання (OTG) підтримує широкий діапазон вихідної напруги від 3В до 24В із кроком 8мВ.
Контролер повністю відповідає специфікаціям Intel IMVP8/IMVP9 (Intel Mobile Voltage Positioning) — це галузеві стандарти енергоменеджменту, розроблені для мобільних та настільних процесорних платформ Intel. Відповідність цим специфікаціям означає, що мікросхема інтегрується в єдину систему керування живленням пристрою та забезпечує динамічне регулювання напруги залежно від поточного навантаження процесора. Контролер здійснює безперервний високоточний моніторинг ключових параметрів: загальної потужності системи (вивід PSYS), вхідного струму від адаптера живлення (IADPT) та струму заряду/розряду акумулятора (IBAT). Також реалізована апаратна підтримка сигналу /PROCHOT (Processor Hot) — у разі виявлення критичного навантаження або перегріву мікросхема миттєво сповіщає процесор для зниження його тактової частоти. Це дозволяє уникнути аварійного вимкнення пристрою, захищає акумулятор і блок живлення від деградації та оптимізує виділення тепла.
Мікросхема використовує архітектуру керування живленням Narrow-VDC (NVDC), яка автоматично регулює струм та напругу в системі, забезпечуючи її стабільну роботу навіть за повністю розрядженого акумулятора. Завдяки інтерфейсу SMBus можна гнучко програмувати параметри (струм, напругу, ліміти, частоту тощо) та налаштовувати потрібні режими. Для високої точності вимірювань інтегровано 10-бітний АЦП. Постачається у корпусі QFN-32.
Основні характеристики та особливості:
- Широкий діапазон вхідної напруги: від 3.5В до 24В (витримує пікові значення до 29В).
- Підтримка акумуляторних збірок від 1 до 4 елементів (1S-4S).
- Режим зворотного розряджання (OTG) з вихідною напругою 3В-24В, повністю сумісний зі стандартами USB PD 3.0.
- Архітектура керування живленням NVDC та динамічне керування потужністю (Dynamic Power Management).
- Налаштування, керування та моніторинг через двопровідний інтерфейс SMBus.
- Робоча частота перемикання: 800 кГц або 1.2 МГц.
- Інтегровані виводи PSYS, IADPT, IBAT для моніторингу, сумісні з Intel IMVP8/9, а також індикація /PROCHOT.
- Вбудовані системи захисту: UVP (від зниженої напруги), OVP (від перенапруги), OCP (від перевантаження по струму), SCP (від короткого замикання) та OTP (від перегріву).
Розпіновка (Pinout) та функції виводів:
| Номер (Pin) |
Назва |
Опис функції |
| 1 |
VBUS |
Вузол входу живлення в режимі заряджання та виходу конвертера в режимі розряджання. |
| 2 |
SNS1N |
Негативний вхід підсилювача датчика струму (на лінії VBUS). |
| 3 |
SNS1P |
Позитивний вхід підсилювача датчика струму (на лінії VBUS). |
| 4 |
CHRG_OK |
Вихід (відкритий стік). Високий рівень вказує, що VBUS в межах 3.5–24В і немає помилок. |
| 5 |
OTG/VAP |
Пін активації режиму OTG або VAP. |
| 6 |
ILIM_HIZ |
Встановлення ліміту вхідного струму за допомогою дільника напруги. |
| 7 |
VDDA |
Внутрішнє опорне зміщення. Підключається через резистор до VDRV та конденсатор до AGND. |
| 8 |
IADPT |
Вихід моніторингу вхідного струму. |
| 9 |
IBAT |
Вихід моніторингу струму батареї. |
| 10 |
PSYS |
Вихід моніторингу загальної потужності системи. |
| 11 |
/PROCHOT |
Вихід індикації перегріву процесора (активний низький рівень). |
| 12 |
SDA |
Лінія даних шини SMBus. |
| 13 |
SCL |
Лінія тактування шини SMBus. |
| 14 |
CMPIN |
Вхід незалежного компаратора. |
| 15 |
CMPOUT |
Вихід незалежного компаратора (відкритий стік). |
| 16 |
COMP1 |
Для підключення RC-ланцюга компенсації циклу керування. |
| 17 |
COMP2 |
Для підключення RC-ланцюга компенсації циклу керування. |
| 18 |
CELL_PRES |
Вибір конфігурації (1S-4S) або визначення присутності батареї. |
| 19 |
SNS2N |
Негативний вхід підсилювача датчика струму батареї. |
| 20 |
SNS2P |
Позитивний вхід підсилювача датчика струму батареї. |
| 21 |
/BATDRV |
Вихід драйвера затвора P-канального транзистора (BATFET). |
| 22 |
VSYS |
Вихід живлення системи зарядного пристрою. |
| 23 |
SW2 |
Вузол перемикання 2 (до індуктивності). |
| 24 |
HD2 |
Вихід драйвера верхнього ключа Q4. |
| 25 |
BT2 |
Bootstrap-підключення (конденсатор між BT2 та SW2). |
| 26 |
LD2 |
Вихід драйвера нижнього ключа Q3. |
| 27 |
PGND |
Силове заземлення (Power ground). |
| 28 |
VDRV |
Вихід внутрішнього регулятора (живлення драйверів затворів). |
| 29 |
LD1 |
Вихід драйвера нижнього ключа Q2. |
| 30 |
BT1 |
Bootstrap-підключення (конденсатор між BT1 та SW1). |
| 31 |
HD1 |
Вихід драйвера верхнього ключа Q1. |
| 32 |
SW1 |
Вузол перемикання 1 (до індуктивності). |
Корпус: QFN 4x4-32 (4mm x 4mm x 0.75mm).