AO3407A — це P-канальний MOSFET-транзистор від виробника Alpha & Omega Semiconductor у компактному корпусі SOT-23. Транзистор розрахований на напругу до -30 В і підходить для комутації живлення, роботи як електронний ключ, захисту від переполюсовки, а також для використання у PWM-схемах.
Завдяки низькому опору відкритого каналу AO3407A добре підходить для компактних пристроїв, де важливі малі втрати потужності та невеликий нагрів при комутації навантаження.
Основні характеристики:
- Тип транзистора: P-Channel MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік VDS: -30 В
- Струм стоку ID: до -4.3 А при VGS=-10 В
- Імпульсний струм стоку IDM: до -25 А
- Опір відкритого каналу RDS(ON): до 48 мОм при VGS=-10 В
- RDS(ON) при керуванні від логічного рівня: до 78 мОм при VGS=-4.5 В
- Порогова напруга затвора VGS(th): від -1.4 до -2.4 В
- Максимальна напруга затвор-витік VGS: ±20 В
- Розсіювана потужність: до 1.4 Вт при 25°C
- Діапазон робочої температури переходу: від -55 до +150°C
- Корпус: SOT-23
Призначення:
- комутація живлення в портативній електроніці;
- використання як P-канальний ключ у DC-схемах;
- схеми захисту від переполюсовки живлення;
- PWM-керування навантаженням;
- ремонт плат живлення, зарядних пристроїв, контролерів і модулів електроніки;
- заміна аналогічних P-канальних MOSFET у корпусі SOT-23 з відповідними параметрами.
Маркування на корпусі:
На корпусі транзистора може бути нанесене скорочене SMD-маркування A77E. Це не повна назва моделі, а код на корпусі, за яким компонент можна ідентифікувати на платі або під час ремонту.
Повна модель компонента: AO3407A.
Розташування виводів SOT-23:
| Вивід |
Позначення |
Призначення |
| 1 |
G |
Gate — затвор |
| 2 |
S |
Source — витік |
| 3 |
D |
Drain — стік |
Коротко про вибір:
AO3407A варто обирати, коли потрібен компактний P-канальний MOSFET на -30 В із малим опором каналу та можливістю керування від напруги затвора -4.5 В. Для заміни на платі важливо перевіряти не тільки маркування на корпусі, а й тип транзистора, розташування виводів, допустиму напругу, струм і RDS(ON).