FGH60N60SMD — це силовий IGBT-транзистор від виробника ON Semiconductor у корпусі TO-247. Він призначений для роботи у високовольтних силових схемах, де потрібні велика робоча напруга, високий струм, швидке перемикання та стабільна робота під навантаженням.
Ця модель добре підходить для інверторів, зварювальних апаратів, джерел безперебійного живлення, PFC-вузлів, телеком-обладнання та інших потужних перетворювачів. Вбудований швидкий діод робить транзистор зручним для сучасної силової електроніки, де важливі ефективність, швидкодія та надійність.
Функціонал
- Силовий IGBT-транзистор для високовольтних схем
- Підходить для інверторів, перетворювачів, UPS та зварювальних апаратів
- Має вбудований швидкий діод
- Розрахований на роботу у вузлах, де важливі швидке перемикання та хороша витривалість по напрузі
Інтеграція
- Корпус: TO-247 — потужний корпус для монтажу в отвори плати
- Зручний для встановлення на радіатор
- Підходить для ремонту та складання силових блоків і інверторної техніки
- Металева пластина корпусу електрично з'єднана з колектором, це потрібно враховувати при монтажі
Ефективність
- Максимальна робоча напруга — 600 В
- Робочий струм — до 60 А при температурі корпусу 100°C
- До 120 А при температурі корпусу 25°C
- Імпульсний струм — до 180 А
- Типове падіння напруги у відкритому стані — 1.9 В
- Підходить для потужних схем із високою напругою та великим струмом
Енергозбереження
- Field Stop структура допомагає знизити втрати під час роботи
- Помірне падіння напруги у відкритому стані зменшує нагрів
- Добре підходить для силових схем, де важливі ефективність і стабільність
Ключові особливості
- Field Stop IGBT
- Вбудований швидкий діод
- До 600 В
- До 60 А
- Корпус TO-247
- Підходить для інверторної техніки
Ключові параметри
- Тип компонента: силовий IGBT-транзистор для високовольтних перетворювачів, інверторів та імпульсних силових схем
- Корпус: TO-247 — великий силовий корпус для монтажу в отвори плати з можливістю встановлення на радіатор
- Максимальна робоча напруга колектор-емітер: 600 В
- Допустима напруга затвор-емітер: ±20 В
- Короткочасна напруга затвор-емітер: ±30 В
- Постійний струм колектора: до 120 А при температурі корпусу 25°C або до 60 А при 100°C
- Імпульсний струм колектора: до 180 А
- Струм вбудованого діода: до 60 А при 25°C або до 30 А при 100°C
- Імпульсний струм вбудованого діода: до 180 А
- Максимальна розсіювана потужність: до 600 Вт при температурі корпусу 25°C
- Максимальна температура кристала: до 175°C
- Напруга відкривання затвора: приблизно 3.5...6 В
- Падіння напруги у відкритому стані: типово 1.9 В, максимум 2.5 В при струмі 60 А
- Вхідна ємність: типово 2915 пФ
- Повний заряд затвора: типово 189 нКл
- Тепловий опір кристал-корпус: 0.25 °C/Вт
Призначення виводів
- G — Gate — затвор, керуючий вивід
- C — Collector — колектор, силовий вивід
- E — Emitter — емітер, силовий вивід
- Металева пластина корпусу: також з'єднана з колектором
Роз’яснення маркування
Основне маркування корпусу — FGH60N60SMD. Додатково нанесений логотип ON Semiconductor та службові виробничі коди партії. Допоміжні рядки можуть відрізнятися залежно від серії випуску, але головне маркування для ідентифікації — саме FGH60N60 та в другому рядку SMD.
Типові застосування
- Сонячні інвертори
- Джерела безперебійного живлення
- Зварювальні апарати
- PFC-модулі
- Телеком-обладнання
- Потужні імпульсні перетворювачі
Реальне тестування
Під час практичної перевірки транзистор показав пробивну напругу 787 В при заявлених 600 В. Це приблизно на 31% вище паспортного значення.
Такий результат підтверджує хороший запас по напрузі та є характерною ознакою якісного силового транзистора з повноцінними параметрами, що відповідають рівню оригінального компонента.
Важливо врахувати
FGH60N60SMD — це силовий високовольтний IGBT-транзистор. Для стабільної та безпечної роботи потрібно правильно організувати керування затвором, охолодження, ізоляцію радіатора та захист від перенапруги.
від 80 грн.
від 50 грн.