20N60С (TO220F) N-канальний MOSFET транзистор FQPF20N60C, 600В, 20 А /Fairchild/

FQPF20N60 — це N-канальний високовольтний силовий польовий транзистор (MOSFET) відвиробника Fairchild Semiconductor, розроблений для використання в сучасних системах живлення змінного та постійного струму. Використання передової технології забезпечує низький опір у відкритому стані та малу ємність, що дозволяє підвищити ефективність імпульсних джерел живлення.

Основні електричні характеристики:

• Напруга стік-витік (V_DS): 600 В
• Струм стоку (I_D): 20 А (при температурі корпусу 25°C)
• Імпульсний струм стоку (I_DM): 80 А
• Опір у відкритому стані (R_DS(on)): не більше 0.37 Ом (при V_GS = 10 В)
• Напруга затвора (V_GS): ±30 В
• Гранична напруга затвора (V_GS(th)): від 3.2 В до 4.5 В
• Максимальна робоча температура переходу (T_J): +150°C

Особливості та переваги:

• Тип корпусу: TO-220F (ізольований).
• Потужність розсіювання (P_D): 50 Вт при 25°C.
• Енергія одинарного лавинного імпульсу (E_AS): 1260 мДж.
• 100% компонентів проходять випробування на лавинний пробій (UIS) та перевірку опору затвора (R_g).
• Відповідає екологічним стандартам RoHS.
  
   

Тестування: