IKW25N120T2 — це силовий IGBT-транзистор від Infineon Technologies у корпусі TO-247-3, розрахований на роботу з напругою до 1200 В. Це якісний високовольтний компонент для інверторів, UPS, частотних перетворювачів та іншої силової електроніки, де потрібні хороша витривалість, стабільна робота та помірні втрати.
Модель побудована на технології TrenchStop 2-го покоління і має вбудований швидкий анти-паралельний діод. Такий транзистор добре підходить для сучасних силових вузлів, де важливі невисокі втрати, низький рівень електромагнітних завад під час перемикання та стабільна робота при нагріванні.
Функціонал
- Силовий IGBT-транзистор для високовольтних схем до 1200 В
- Підходить для UPS, частотних перетворювачів, інверторів та силових блоків
- Має вбудований швидкий анти-паралельний діод
- Розрахований на роботу у вузлах, де важливі стабільність, помірні втрати та надійність
Ключові параметри
- Тип компонента: силовий IGBT-транзистор із вбудованим швидким анти-паралельним діодом
- Корпус: TO-247-3 — потужний силовий корпус для монтажу в отвори плати з можливістю встановлення на радіатор
- Максимальна робоча напруга колектор-емітер: 1200 В
- Допустима напруга затвор-емітер: ±20 В
- Постійний струм колектора: до 50 А при температурі корпусу 25°C або до 25 А при 110°C
- Імпульсний струм колектора: до 100 А
- Струм вбудованого діода: до 40 А при температурі корпусу 25°C або до 25 А при 110°C
- Максимальна розсіювана потужність: до 349 Вт при температурі корпусу 25°C
- Максимальна температура кристала: до 175°C
- Напруга відкривання затвора: приблизно 5.2...6.4 В, типово 5.8 В
- Падіння напруги у відкритому стані: типово 1.7 В, максимум 2.2 В при струмі 25 А і керуванні затвором 15 В
- Падіння напруги на вбудованому діоді: типово 1.65 В при струмі 25 А
- Вхідна ємність: типово 1600 пФ
- Повний заряд затвора: типово 120 нКл
- Тепловий опір кристал-корпус: 0.43 °C/Вт для IGBT-частини
- Час витримки короткого замикання: до 10 мкс
Призначення виводів
- G — Gate — затвор, керуючий вивід
- C — Collector — колектор, силовий вивід
- E — Emitter — емітер, силовий вивід
- Металева пластина корпусу: також з'єднана з колектором
Роз’яснення маркування
На корпусі транзистора нанесене скорочене маркування K25T1202 — це заводське позначення моделі IKW25N120T2 згідно з даташитом. Нижче також наноситься виробничий код партії, наприклад HAJ235, який у кожній новій партії буде іншим. При підборі, ремонті або заміні транзистора звертати увагу слід саме на основне маркування K25T1202.
Типові застосування
- Частотні перетворювачі
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Інвертори загального призначення
- Промислові силові блоки
- Високовольтні перетворювачі
Реальне тестування
Під час практичної перевірки транзистор показав пробивну напругу 1369 В при заявлених 1200 В. Це приблизно на 14% вище паспортного значення.
Такий результат підтверджує хороший запас по напрузі та є характерною ознакою якісного силового транзистора з повноцінними параметрами, що відповідають рівню оригінального компонента.
Вигляд в розібраному стані
Важливо врахувати
IKW25N120T2 — це високовольтний силовий IGBT, тому для стабільної роботи потрібно забезпечити правильне керування затвором, ефективне охолодження, якісний монтаж на радіатор і захист від перенапруги.
від 80 грн.
від 50 грн.