TNY266PN (DIP-8B) мікросхема /Power Integrations/

TNY266PN — це високоефективний імпульсний перетворювач напруги (Off-line Switcher) сімейства TinySwitch-II від виробника Power Integrations, призначений для побудови надійних і компактних мережевих джерел живлення. Деталь об'єднує на одному монолітному кристалі високовольтний силовий MOSFET-транзистор на 700 В, генератор робочої частоти, імпульсне джерело струму, а також точні схеми обмеження струму та теплового захисту. Мікросхема оптимізована для проектування AC/DC адаптерів, систем чергового живлення (Standby) та зарядних пристроїв, оскільки потребує мінімальної кількості зовнішніх компонентів і здатна працювати без окремої обмотки зміщення трансформатора.

Технічні параметри та характеристики

• Максимальна вихідна потужність (230 В змінного струму): до 15 Вт (конструкція Open Frame) або до 10 Вт (у закритому невентильованому адаптері).
• Максимальна вихідна потужність (85-265 В змінного струму): до 9.5 Вт (Open Frame) або до 6 Вт (в адаптері).
• Робоча частота генератора: 132 кГц. Інтегрована функція частотного джитера (±4 кГц) ефективно розмиває спектр випромінювання, значно знижуючи рівень електромагнітних завад (EMI).
• Напруга пробою транзистора (Breakdown Voltage): 700 В.
• Типовий струм обмеження (Current Limit): 350 мА.
• Енергоспоживання без навантаження: менше 250 мВт без обмотки зміщення та менше 50 мВт при використанні зовнішнього зміщення.
• Тепловий захист: вбудований, з порогом відключення при +135 °C та гістерезисом 70 °C для запобігання перегріву друкованої плати.

Розпіновка TNY266PN (тип корпусу DIP-8B)

Мікросхема виконана у стандартному вивідному корпусі DIP-8B. Важлива конструктивна особливість: шостий вивід фізично видалений виробником для забезпечення необхідного шляху струму витоку (creepage distance) між високовольтним стоком та низьковольтними колами.

• 1 — BP (BYPASS): Підключення зовнішнього керамічного конденсатора (0.1 мкФ) для фільтрації та зберігання енергії внутрішньої шини живлення 5.8 В.
• 2, 3 — S (SOURCE): Загальний вивід схеми управління, що має внутрішнє з'єднання з витоком вихідного силового транзистора.
• 4 — EN/UV (ENABLE/UNDER-VOLTAGE): Багатофункціональний вивід. Служить входом дозволу комутації MOSFET (керується оптопарою) та використовується для визначення зниження напруги лінії (Under-Voltage) через зовнішній резистор.
• 5 — D (DRAIN): Стік силового MOSFET-транзистора. Через цей вивід мікросхема також отримує стартовий та робочий струм безпосередньо з високовольтної шини.
• 6 — ПРОПУЩЕНО: Відсутній для високовольтної ізоляції.
• 7, 8 — S (HV RTN): Виток силового MOSFET для повернення струму високої напруги.

Роз'яснення маркування на корпусі

Звертаємо увагу майстрів та інженерів: під час ідентифікації мікросхеми дивіться виключно на середній рядок маркування, де чітко вказана модель TNY266PN. Верхній рядок (логотип виробника та 4-значний код дати, наприклад, 2427) і нижній рядок (буквено-цифровий код партії, наприклад, 59847D) є внутрішньою службовою інформацією заводу. Для ремонту ці дані абсолютно неважливі і на технічні характеристики не впливають,  оскільки вони неминуче будуть різними в кожній новій партії товару.

Порівняльна таблиця модифікацій сімейства TinySwitch-II

Для правильного підбору аналогів або модернізації БЖ важливо враховувати струм обмеження та вихідну потужність.