Польовий транзистор AON7409, P-канальний MOSFET від компанії Alpha and Omega
- Напруга: 30В
- Струм: 32А
- Тип корпусу: DFN3*3-8, розмір 3.3*3.3мм
*Другий рядок в маркуванні транзистора вказує номер партії та рік виготовлення, це маркування ні як не влииває на параметри, і буде відрізнятись від партії до партії, основне маркування вказано у першому рядку
AON7409 поєднує в собі передову технологію Trench MOSFET з корпусом з низьким опором для забезпечення надзвичайно низького опору RDS(ON). Цей пристрій ідеально підходить для застосувань, де потрібне комутування навантаження та захист акумулятора.
- Відповідає стандартам RoHS та не містить галогенів.
Короткі характеристики:
- Напруга стік-витік (VDS): -30 В
- Струм стоку (ID) (при VGS=-10В): -32 А
- Опір стік-витік у відкритому стані (RDS(ON)) (при VGS=-10В): < 8.5 мОм
- Опір стік-витік у відкритому стані (RDS(ON)) (при VGS=-4.5В): < 17 мОм
-
Абсолютні максимальні значення (Ta=25°C, ):
| Параметр |
Символ |
Максимум (Одиниці вимірювання) |
| Напруга стік-витік |
VDS |
-30 В |
| Напруга затвор-витік |
VGS |
±25 В |
| Постійний струм стоку (ID) |
ID |
-32 А (Tc=25°C) / -25 А (Tc=100°C) / -16 А (Ta=25°C) / -12.5 А (Ta=70°C) |
| Імпульсний струм стоку |
IDM |
-128 А |
| Струм лавини |
IAS |
40 А |
| Енергія лавини (L=0.1мГн) |
EAS |
80 мДж |
| Розсіювана потужність (P) |
P |
96 Вт (Tc=25°C) / 38.5 Вт (Tc=100°C) / 3.1 Вт (Ta=25°C) / 2 Вт (Ta=70°C) |
| Температура переходу та зберігання |
TJ, TSTG |
-55 до 150 °C |
від 80 грн.
від 50 грн.