AONR36366-MS — це потужний N-канальний MOSFET транзистор від виробника MSKSEMI Semiconductor, призначений для роботи у схемах комутації живлення, захисту акумуляторів та силових DC-DC вузлах. Транзистор має дуже малий опір відкритого каналу та здатний працювати з великими струмами, що робить його ефективним ключем у сучасних електронних пристроях.
Модель розрахована на напругу до 30 В, виконана у компактному корпусі DFN3×3-8L та має маркування 100N03 на корпусі. Низький опір відкритого каналу, малий заряд затвора та підтримка роботи від 4.5 В на затворі роблять цей транзистор вдалим вибором для плат захисту акумуляторів, power bank, UPS, DC-DC перетворювачів та інших силових вузлів.
Поширені варіанти написання моделі: AONR36366, AONR36366-MS, 100N03 MOSFET.
Функціонал
- N-канальний MOSFET транзистор для силових ключових схем
- Ефективна комутація живлення у компактних SMD-платах
- Низький опір відкритого каналу RDS(ON)
- Малий заряд затвора для швидкого перемикання
- Підтримка роботи з напругою керування від 4.5 В
- Вбудований паразитний діод між Drain і Source
Інтеграція
- Корпус DFN 3×3 мм, 8 виводів
- Компактне рішення для сучасних щільно змонтованих плат
- Підходить для вузлів з великим струмом
- Нижній тепловий майданчик використовується для відведення тепла
Ефективність
- Максимальна напруга VDS — 30 В
- Максимальний безперервний струм ID до 100 А при TC=25°C
- При TA=25°C безперервний струм становить до 30 А
- Опір каналу RDS(ON) до 5.5 мОм при VGS = 10 В
- При VGS = 4.5 В опір каналу становить до 6 мОм
- Імпульсний струм до 192 А
Енергозбереження
- Низький опір каналу зменшує теплові втрати
- Малий заряд затвора прискорює перемикання
- Підходить для високоефективних DC-DC схем
- Допомагає зменшити втрати енергії у силових перетворювачах
Ключові особливості
- Швидке перемикання
- Підходить для battery protection, load switch та UPS
Ключові параметри
- Тип транзистора: N-Channel MOSFET
- Модель: AONR36366-MS
- Максимальна напруга Drain-Source: 30 В
- Максимальна напруга Gate-Source: ±20 В
- Безперервний струм Drain: до 100 А
- Імпульсний струм: 192 А
- RDS(ON): 4–5.5 мОм
- Порогова напруга затвора VGS(th): 1.0–2.5 В
- Температура переходу та зберігання: -55…+150°C
Роз’яснення маркування
На корпусі транзистора нанесене скорочене заводське маркування:
- 100N03 — код моделі MOSFET
- другий рядок — службове маркування виробника, яке може відрізнятися залежно від партії
- крапка або мітка на корпусі — позначення виводу №1
У даташиті виробника приклад маркування показано у вигляді 100N03 / XXXX, тому для ідентифікації моделі основне значення має саме маркування 100N03. Другий рядок не використовується як основна ознака електричних параметрів транзистора.
Скорочене маркування часто застосовується у компактних SMD-корпусах, де фізично неможливо нанести повну назву моделі.
Як працює MOSFET транзистор
MOSFET — це електронний ключ. Він відкривається або закривається напругою на затворі Gate. Коли на затвор подається відповідна напруга, між виводами Drain і Source відкривається канал, через який проходить струм.
Чим менший опір каналу RDS(ON), тим менше енергії перетворюється у тепло. Саме тому такі транзистори широко використовуються у силовій електроніці, де важливі ефективність, компактність і менший нагрів.
Типові застосування
- захист акумуляторів (Battery Protection)
- електронний ключ живлення (Load Switch)
- джерела безперебійного живлення (UPS)
- DC-DC перетворювачі
- силові модулі живлення
- контролери батарей
- плати power bank
| Модель |
Тип корпусу |
Розмір |
| AONR36366-MS |
DFN3×3-8L |
3 × 3 мм |
від 80 грн.
від 50 грн.