Мікросхема LNK364DN від компанії Power Integrations належить до серії LinkSwitch-XT та поєднує в собі силовий MOSFET (700 В), контролер живлення та функції захисту в одному корпусі. Вона призначена для створення компактних, економічних та енергоефективних імпульсних джерел живлення.
Роз'яснення маркування
Маркування мікросхеми LNK364DN, яка за паспортом має повне маркування LNK364DN-TL, на самій мікросхемі скорочене і зазначене як LNK364DN без суфіксу -TL.
У маркуванні LNK364DN-TL:
- Суфікс D вказує на пластиковий корпус типу SOP-7 (Small Outline, 7виводів).
- Суфікс N вказує на покриття виводів чистим матовим оловом, що відповідає стандартам RoHS (обмеження використання небезпечних речовин).
- Суфікс -TL вказує на тип упаковки "стрічка та котушка" (Tape & Reel), мінімальний обсяг постачання становить 2,5 тисячі штук для корпусу типу D.
У першому та третьому рядках маркування мікросхеми зашифрована дата виготовлення та номер партії які не впливають на її технічні характеристики. Відповідно у кожній новій партії перший та третій рядок маркування буде завжди різний. Не потрібно звертати на них уваги при підборі мікросхеми для ремонту, головне маркування яке визначає тип мікросхеми зазначено у другому рядку.
Технічні параметри:
- Вхідна напруга: 85–265 В змінного струму.
- Максимальна вихідна потужність:
- Для адаптера: 4 Вт (при 85-265 В змінного струму).
- Для відкритих конструкцій: 6 Вт (при 85-265 В змінного струму).
- Робоча частота: 132 кГц (середня) з частотним розсіюванням ±9 кГц.
- Захисти:
- Автоматичний перезапуск у разі короткого замикання або відкритого контуру.
- Термічний захист з автоматичним відновленням (поріг спрацьовування 142°C).
- Захист від перевищення струму.
- Параметри MOSFET:
- Опір у ввімкненому стані (RDS(ON)_{\text{DS(ON)}}DS(ON)): 28 Ом при 25°C.
- Максимальна напруга пробою (BVDSS): 700 В.
- Енергоефективність:
- Споживання в режимі очікування: <300 мВт (без допоміжного обмотування) або <50 мВт (з допоміжним обмотуванням).
- Інші особливості:
- Робота без компенсації контуру зворотного зв'язку.
- Виключення необхідності додаткових допоміжних обмотувань трансформатора.
- Частотне розсіювання для зниження рівня електромагнітних перешкод (EMI).
Застосування:
- Зарядні пристрої для мобільних телефонів, MP3-плеєрів, камер.
- Джерела живлення для побутових приладів, промислових систем та лічильників.