NTMFS4C06NT1G — це N-канальний силовий MOSFETтранзистор в корпусі SO-8FL (DFN 5x6 мм), сумісний за параметрами з оригіналом від ON Semiconductor. Представлений транзистор є якісною **реплікою**, що має аналогічні характеристики, але пропонується за доступнішою ціною. Завдяки низькому опору каналу, малому заряду затвора та хорошим тепловим характеристикам, він чудово підходить для сучасних DC/DC-перетворювачів.
Ключові характеристики:
- Тип транзистора: N-канальний MOSFET
- Корпус: SO-8 FL (DFN 5x6 мм)
- Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 30 В
- Безперервний струм стоку (ID): до 69 А (при TC = 25 °C)
- Імпульсний струм стоку: до 476 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): 4.0 мОм (макс.) при VGS = 10 В
- Заряд затвора (Qg): 26 нКл (при VGS = 10 В)
- Потужність розсіювання: до 30.5 Вт (через корпус)
- Температурний діапазон: –55 … +150 °C
Особливості:
- Низький RDS(on) для зменшення втрат на провідність
- Оптимізований заряд затвора для мінімізації втрат при перемиканні
- Низька ємність затвора для зменшення втрат у драйвері
- Повна відповідність вимогам RoHS, без галогенів
- Висока щільність струму у компактному корпусі SO-8 FL
Маркування на корпусі:
- Основне маркування: 4C06N
- Інші символи (AYWZZ) вказують на місце, рік і тиждень виробництва та партію
Типові застосування:
- DC/DC перетворювачі
- Системи живлення CPU та GPU
- Модулі електроживлення материнських плат
- Промислові та комп'ютерні блоки живлення
NTMFS4C06NT1G — ідеальне рішення для конструкцій, що потребують високої ефективності, швидкого перемикання та низьких втрат у компактному корпусі.
від 80 грн.
від 50 грн.