SRC65R100B (TO-263) N-канальний MOSFET-транзистор /Sanrise Tech/

Польовий транзистор SRC65R100B SMD (N-Channel, 650V, 36.9A, 100mOhm) у корпусі TO-263

SRC65R100B — це потужний високовольтний N-канальний MOSFET-транзистор від компанії Sanrise Tech, розроблений за технологією Super Junction. Ця версія виконана в корпусі TO-263-2, який призначений для поверхневого монтажу (SMD). Компонент вирізняється наднизьким опором відкритого каналу (Rds(on)), швидким перемиканням та оптимізований для використання в пристроях, де важлива висока щільність потужності при компактному розміщенні на друкованій платі.

Основні переваги та особливості:

• Корпус TO-263-2 для поверхневого монтажу (SMD).
• Наднизький опір відкритого каналу (Rds(on) типово 82 мОм, макс. 100 мОм).
• Низький заряд затвора (Qg типово 86 нКл) для мінімізації втрат на керування.
• Вбудований швидкодійний відновлювальний діод.
• Відмінні характеристики лавинного пробою (EAS) та загальна надійність конструкції.

Сфери застосування:

• AC/DC імпульсні джерела живлення.
• Зарядні пристрої для електромобілів (EV Charger).
• Блоки живлення для ПК, серверів, телекомунікаційного та промислового обладнання.

Технічні характеристики (для корпусу TO-263-2):

• Тип транзистора: MOSFET (Super Junction)
• Полярність: N-Channel (N-канал)
• Максимальна напруга стік-витік (Vdss): 650 В
• Максимальний безперервний струм стіку (Id) при 25°C: 36.9 А
• Максимальний безперервний струм стіку (Id) при 125°C: 16.5 А
• Імпульсний струм стіку (Idm): 110.7 А
• Опір відкритого каналу (Rds(on)) при Vgs=10V: 100 мОм (0.1 Ом)
• Порогова напруга затвора (Vgs(th)): 3.0 ... 5.0 В
• Максимальна розсіювана потужність (Pd) при 25°C: 291 Вт
• Тип корпусу: TO-263-2 (SMD)
• Діапазон робочих температур (Tj): від -55°C до +150°C

Порівняльна таблиця модифікацій серії SRC65R100B:

* Зверніть увагу: на цій сторінці до замовлення доступна саме версія у SMD-корпусі TO-263 (постачається у Тубі).