SVF086RONT, TO-220, N-канальний MOSFET транзистор, маркування: 086RONT /Silan/

SVG086R0NT — N-канальний силовий MOSFET серії LVMOS від Silan Microelectronics для високострумових DC/DC, інверторів та UPS. Низький опір каналу, швидке комутування і висока лавинна витривалість. Корпус: TO-220-3L.

Ключові характеристики 

• Макс. напруга стік–витік (V_DS): 80 В
• Макс. напруга затвор–витік (V_GS): ±20 В
• Безперервний струм стоку (I_D): 120 А при T_C=25 °C (76 А при 100 °C)
• Імпульсний струм стоку (I_DM): 480 А
• Опір каналу у ввімкненому стані (R_DS(on)): ≤6.0 mΩ @ V_GS=10 В, I_D=50 А
• Розсіювана потужність (P_D): 156 Вт при 25 °C
• Тепловий опір перехід–корпус (R_θJC): 0.8 °C/Вт
• Одиночна лавинна енергія (E_AS): 306 mJ
• Робоча температура кристала (T_J): −55…+150 °C

Внутрішній діод

• Пряма напруга діода (V_SD): ≤1.4 В @ 50 А
• Час зворотного відновлення (T_rr): 47 нс

Пояснення: «Внутрішній діод» — це вбудований p–n діод між стоком і витоком MOSFET. Він автоматично проводить струм у зворотному напрямку (наприклад, під час перемикання індуктивного навантаження), тому для нього вказують падіння напруги V_SD і час відновлення T_rr.

Розпіновка TO-220-3L: 1-G (затвор), 2-D (стік), 3-S (витік).

Маркування на корпусі (щоб не заплутатись при ремонті)

• Перший рядок — «086R0NT»: це друкований код моделі, який однозначно відповідає повній назві SVG086R0NT.
• Другий рядок — службовий код партії/дати (наприклад, NL4A63C ). Завжди різний у кожного випуску та не впливає на характеристики і сумісність — орієнтуйтесь саме на код моделі з першого рядка.
• Може бути присутній логотип виробника Silan; відтінок шрифту та дрібні позиційні відмінності від партії до партії — допустимі.

Існуючі модифікації (та ж кристальна структура, різні корпуси)

Примітка: електричні параметри (V_DS, R_DS(on), Q_g тощо) спільні для всієї сім’ї; відмінності між модифікаціями визначаються, головно, типом корпусу, тепловими можливостями та способом пакування.

Джерело даних: офіційний даташит Silan «SVG086R0NT(S)(D)(L5)», версія 1.4.